SiTime扩频晶振SSXO
SiTime的EMI扩频晶振SSXO通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保发射合规性。 SiTime的Time Machine II编程器支持扩频晶振SSXO,使工程师能够快速降低排放水平并确保客户通过合规性。
单端扩频晶振
SiTime可编程扩频晶振可确保用户产品满足相关辐射标准,加快产品营收。辐射不合规(产品辐射无法满足相关标准)常常发生在产品开发的最后阶段,造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿,允许设计人员(通过现场编程的方式实时)降低辐射度。
基本频率高达17 dB,谐波高达30 dB
广泛的传播范围:峰对峰率高达4%
FlexEdge?可配置的上升/下降时间选项:转换速率为0.25 ns至40 ns
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT9005 | 1MHz - 141MHz | ±20 | LVCMOS | 1.8V 2.5 to 3.3V | -20 ~ +70 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
SiT9003 | 1MHz - 110MHz | ±50 | LVCMOS | 1.8V 2.5V 2.8V 3.3V | -20 ~ +70 | 2.5x2.0x0.75 3.2x2.5x0.75 5.0x3.2x0.75 7.0x5.0x0.9 |
差分扩频晶振
SiTime差分扩频晶振系列是单芯片解决方案,可替代扩频 IC 和外部晶体。差分扩频晶振包括可编程驱动强度功能,通过放慢时钟的上升和下降时间和改善时钟接收器 (RX) 下游抖动,将系统辐射电磁干扰 (EMI) 降低了 12 dB。这些特性保持全摆幅的同时驱动大容性负载。
业界最佳的周期间抖动,低至15ps
使系统设计人员可以最大程度地减少对时序预算的影响
取决于系统的EMI降低,三次谐波最高降低-17 dB,基本峰值功率(100 MHz扩频频率)降低-12 dB
具有成本效益的EMI降低和最快的上市时间
灵活的扩频选项:
多种中心扩展/向下扩展调制模式
提供扩展禁用模式:在系统设计中优化EMI性能
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT9002 | 1MHz - 220MHz | ±25 | CML HCSL LVDS LVPECL | 1.8V 2.5V 3.3V | -20 ~ +70 | 5.0x3.2x0.75 7.0x5.0x0.9 |