SiTime高精度温补晶振TCXO
基于Elite PlatformTM 的SiTime高精度温补晶振,提供业界领先的动态频率稳定特性。SiTime高精度温补晶振应用创新的DualMEMS?架构,同时采用TurboCompensation? 和无噪声温度传感技术,Elite PlatformTM 高精度 Super-TCXOs在气流、温度快速变化、环境振动、机械冲击、电源噪声和电磁干扰 (EMI)的条件下提供最稳定时钟信号。SiTime高精度温补晶振可以编程为各种参数中频率,稳定性,电压和牵引范围的任意组合,从而消除了与石英温补晶振TCXO相关的长交货时间和定制成本。
±0.5ppm抗冲击温补晶振
Elite Platform? Super-TCXO抗冲击温补晶振具有多种频率稳定性(±0.5 ppm至±2.5 ppm),1至220 MHz任意频率,以及出色的动态性能和丰富的功能。SiTime的抗冲击温补晶振解决了电信,网络,精密GNSS和北斗导航通讯定位系统中根深蒂固的时序问题。SiTime抗冲击TCXO温补晶振通过将抗振动和低相位噪声与陶瓷封装相结合,替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振TCXO,同时降低功耗和尺寸。
动态稳定性优于石英(约为1ppb/°C的ΔF/ΔT),抗气流和热冲击
-40 °C到105 °C的工作温度范围,适用于无风扇的户外设备
I2C数字频率调谐功能,无需外部DAC,同时减小对电路板噪声的敏感度
片上电源噪声过滤,无需专用的LDO
无主动突降或微跳问题
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT5156 | 1MHz - 60MHZ | ±0.5 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~ +70 | 5.0 x 3.2 |
SiT5157 | 60MHz - 220MHZ | ±0.5 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~ +70 | 5.0 x 3.2 |
SiT5155 | 10MHz - 40MHz | ±0.5 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~ +70 | 5.0 x 3.2 |
±0.1ppm高精度温补晶振
SiTime 的 Elite Platform? Super-TCXO 采用DualMEMS ?架构设计,结合了三个关键元素:TempFlat MEMS? 谐振器、MEMS 温度传感器和高度集成的混合信号 IC。SiTime高精度温补晶振内部架构结合了世界上最灵敏的温度传感器、专有温度补偿方案 (TurboCompensation?) 和低噪声频率合成器。SiTime的Elite高精度温补晶振计时解决方案提供了 30 倍的动态性能、10 倍的动态稳定性和 20 倍的抗振性(g灵敏度),可在存在常见环境危害(例如气流、温度扰动、振动、冲击、电源噪声和电磁干扰(EMI)时提供卓越的动态性能).
Elite高精度温补晶振可提供出色的动态稳定性、超低抖动、宽频率范围和可编程性,支持 1 至 220 MHz 之间的任何频率。
在环境温度和气流快速变化的情况下保持频率稳定性:
全温度范围的工作频率稳定性±100ppb;
10秒平均时间的艾伦偏差(ADEV)3e-11;
在每分钟10°C的超快温度时间变化率下,频率温度变化率 1 ppb/°C
没有类似石英晶振的寄生模式频率扰动和微跳变;
拥有0.1 ppb/g超低振动敏感度;
拥有0.2 ps/mv电源噪声抑制(PSNR);
可选I2C频率编程调谐功能,无需外部DAC;
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT5356 | 1MHz - 60MHz | ±0.1 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~ +70 | 5.0 x 3.2 |
SiT5357 | 60MHz - 220MHz | ±0.1 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~ +70 | 5.0 x 3.2 |
SiT5501 | 1MHz - 60MHz | ±0.01 | LVCMOS Clipped Sinewave | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | 40 ~ +85 | 7.0 x 5.0 |