SiTime压控晶振
SiTime压控晶振VCXO为视频分发(CMTS)、网络,电信和仪器仪表应用提供了出色的动态性能和最高的可靠性。 压控晶振VCXO经过精心设计,可在存在常见环境危害(例如电击、振动、噪声电源和EMI)的情况下保持相同的相位噪声和频率调整精度。 压控晶振VCXO使电缆头端和远程无线电头(RRH)等设备能够在不受控制的环境(例如非空调地下室或屋顶)中提供高性能,最佳可靠性和最高服务质量。
压控单端晶振
SiTime压控晶振VCXO是LVCMOS / LVTTL兼容输出的高度灵活的高性能压控晶振。SiTime压控晶振支持1-220MHz任意频率以及电压(1.8 V; 2.5 V至3.3 V),牵引范围(±25 ppm至±1600 ppm)和封装(2520、3225、5032、7050)的任意组合。压控晶振VCXO输出频率根据施加的控制电压而变化,输出频率的变化以百万分率 (ppm) 为单位指定。如果计算中包括稳定性和老化,则称为可牵引性、总牵引范围或绝对牵引范围 (APR)。压控晶振使用户能够在电路处于活动状态时调整振荡频率,从而匹配输入信号。从而简化了PLL和时钟同步设计。SiTime压控晶振具有出色的上拉范围线性度和调谐斜率一致性(Kv),是石英晶振VCXO的10倍。
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT3808 | 1-80MHz | ±10 | LVCMOS | 1.8V 2.5V 2.8V 3.3V | -20 ~ +70 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT3809 | 80 - 220MHz | ±10 | LVCMOS | 1.8V 2.5V 2.8V 3.3V | -20 ~ +70 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT3807 | 1.544MHz-49.152MHz 固定频率 | ±25 | LVCMOS | 1.8V 2.5V 2.8V 3.3V | -20 ~ +70 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
低抖动压控差分晶振
SiTime压控差分晶振为电信设备、网络视频和音频系统、无线基站、仪器仪表灯应用提供了出色的动态性能和高可靠性。 SiTime压控差分晶振经过精心设计,提供27种牵引范围可选,可在恶劣的环境条件下保持相位噪声性能和频率调整精度。
在实际运行条件下的特殊动态性能
0.21 PS抖动(典型)
0.1%的牵引范围线性度:确保在恶劣环境下的最佳系统性能
在振动条件下,具有同样良好的相位噪声
在高振动环境中尽量减少链路和数据损失
灵活的可编程功能
1至7250 MHz
输出电平模式LVDS、LVPECL
2.25至3.63 V
±25至±3200 ppm牵引范围
LVPECL,LVDS,HCSL:自定义振荡器规格以进行最佳系统性能
卓越的可靠性
10亿小时MTBF
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT3372 | 1MHz-220MHz | ±15 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~ +70 | 3.2 x 2.5 5.0 x 3.2 7.0 x 5.0 |
SiT3373 | 220MHz-725MHz | ±15 | LVPECL LVDS HCSL | 2.5V 2.8V 3.0V 3.3V | -20 ~+70 | 3.2 x 2.5 5.0 x 3.2 7.0 x 5.0 |
低成本压控差分晶振
SiTime压控差分晶振为行业提供了多种频率的低成本解决方案。 SiTime压控差分晶振高可靠性范围经过认证,可满足MIL标准,为电信设备、网络视频和音频系统、无线基站和仪器等应用设计。SiTime压控差分晶振与传统的石英压控晶振封装和控制电压是100%兼容,因此可直接取代VCXO石英压控晶振,无需做任何设计变更.
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT3821 | 1MHz - 220MHz | ±10 | LVDS LVPECL | 2.5V 3.3V | -20 ~ +70 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT3822 | 220MHz - 625MHz | ±10 | LVDS LVPECL | 2.5V 3.3V | -20 ~ +70 | 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |