SiTime MHz有源晶振
SiTime提供了完整的单端MHz有源晶振产品组合。 SiTime MEMS单端有源晶振具有石英晶振无法提供的可配置功能，并被设计用于更高的可靠性，更短的交货时间，并解决独特的时序问题，例如EMI和温漂。 SiTime MEMS单端有源晶振完全兼容替代传统石英晶振，而无需任何设计或电路板布局更改。
单端低功耗有源晶振
SiTime为消费，工业，物联网和网络应用提供了广泛的单端低功耗有源晶振产品组合。 具有1-137MHz频率范围，支持1.8-3.3 V电源电压自动适配。低功耗，小尺寸，并且在宽温度范围内具有出色的温度稳定性。
1至137 MHz任意频率，精度为小数点后6位
行业标准封装（2016、2520、3225、5032和7050）
SOT23-5引线封装，具有更高的板级可靠性和可制造性
FlexEdge?可配置的上升/下降时间，压摆率为0.25至40 ns，可降低EMI
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 (V) | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT8008 | 1MHz to 110 MHz | ±20 | LVCMOS | 1.8 - 3.3 | -20 ~ +70 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT8009 | 115MHz to 137 MHz | ±20 | LVCMOS | 1.8 - 3.3 | -20 ~ +70 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT1602 | 52个标准频率 | ±20 | LVCMOS | 1.8-3.3 | -20 ~ +70 | 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT8021 | 1 MHz to 26 MHz | ±50 | LVCMOS | 1.8 2.25~3.63 | -20 ~ +70 | 1.5 x 0.8 |
SiT2002 | 115MHz to 137MHz | ±20 | LVCMOS | 1.8 - 3.3 | -20 ~ +70 | SOT23(2.9 x 2.8) |
SiT2001 | 1MHz to 110MHz | ±20 | LVCMOS | 1.8~3.63 | -20 ~ +70 | SOT23(2.9 x 2.8) |
单端低抖动有源晶振
SiTime MEMS低抖动有源晶振实现了0.6ps的低相位抖动和±10PPM的频率稳定度。SiTime低抖动MEMS硅晶振解决方案被誉为首个超过SONET标准的MEMS时钟解决方案。低抖动MEMS硅晶振是音频、视频、电信、网络和存储应用的理想选择，可直接代替传统石英晶振。
支持1-220MHz之间任意频点，精度为小数点后6位
工作电压：1.8V，2.5V-3.3V
业界标准封装：2520,3225,5032和7050封装
-40至+ 85°C范围内10 ppm的频率稳定性
型号 | 频率范围 | 频率稳定度 (ppm) | 输出类型 | 工作电压 | 工作温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
SiT8208 | 1MHz to 80MHz | ±10 | LVCMOS | 1.8 V 2.5 V 2.8 V 3.3 V | -20 ~ +70 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
SiT8209 | 80MHz to 220 MHz | ±10 | LVCMOS | 1.8 V 2.5 V 2.8 V 3.3 V | -20 ~ +70 | 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
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